Diodi di pompaggio laser a semiconduttore

Полупроводниковые Diodi laserL'imballaggio per i laser in fibra sono dispositivi con uscita in fibra, generalmente basate sulla tecnologia dei semiconduttori di Algaas II-V, che emettono 800-1000 nm nella gamma di lunghezze d'onda (molto spesso 915 o 976 nm).

Их можно разделить на две основные категории:

Il diametro del nucleo della fibra a singolo modellazione in diodi laser a semiconduttore a forma singola con uscita in fibra è di solito diversi micron (ad esempio, il diametro del nucleo della fibra con una lunghezza d'onda di 1 micron è di circa 6 micron e le fibre con una lunghezza d'onda di 1,5 micron sono di circa 9 μm, che è circa 6 volte). In un tale diodo, la luce di un piccolo diodo laser a semiconduttore con radiazione finale si concentra nel nucleo della fibra con un diametro di circa 6 micron. Questo tipo di diodi laser a semiconduttore è generalmente assemblato in un corpo "farfalla" con un dispositivo di raffreddamento termoelettrottermoelettrico integrato nel caso (ora è più popolare per i dispositivi di un fattore di forma più piccolo). QuestiDiodi laser a semiconduttoreCon l'uscita in fibra, di solito sono in grado di sviluppare potenza di uscita da 300 MW a 1,5 watt. Sono usati per pompare le fibre attive con una shell con singolo livello. I principali fornitori di diodi laser a semiconduttore singolo con pompaggio a 915/976 nm sono aziende che alla fine degli anni '90 hanno sviluppato un'attività di amplificatore in fibra di business (EDFA: amplifier in fibra in lega Erbium) per il mercato delle telecomunicazioni.

Le fibre multimodiche nei diodi laser a semiconduttore multi -conduttore con uscita in fibra hanno un diametro maggiore, che consente loro di resistere a livelli più elevati di potenza ottica. Le versioni standard di solito hanno il diametro del core 62, 100, 200, 400, 800 e persino> 1000 micron. Più piccolo è il diametro, più facile è focalizzare la luce dalla fibra a un piccolo punto usando una lente o una lente per microscopi. I diodi laser a semiconduttore multimodico con uscita in fibra si basano generalmente su cristalli di diodi laser a semiconduttore con un lato largo delle radiazioni laterali. Possono anche essere divisi in due categorie:

Одноэмиттерные Diodi laser a semiconduttore, in cui un cristallo di un diodo laser a semiconduttore fino a 20 W è generalmente collegato a una dimensione del diodo laser a semiconduttore di 105 micron (core) e 125 micron (shell).

I diodi laser a semiconduttore multi -emittente si basano su diversi cristalli di diodi laser a semiconduttore collegati a una fibra e forniscono un livello di potenza scalabile fino a 89 MW.